Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://eadnurt.diit.edu.ua/jspui/handle/123456789/2180
Название: Уточнение параметров микроструктуры солнечных элементов на основе арсенида галлия для комбинированой солнечной электростанции
Другие названия: Уточнення параметрів мікроструктури сонячних елементів на основі арсеніду галію для комбінованої сонячної електростанції
Refinement of Microstructure Parameters of Solar Cells, Based on Gallium Arcenide for Combined Solar Power Plant
Авторы: Габринец, Владимир Алексеевич
Габрінець, Володимир Олексійович
Gabrinets, Vladimir A.
Gabrіnets, Volodimir O.
Кныш, Людмила И.
Книш, Людмила І.
Knysh, Ludmila I.
Ключевые слова: термофотоэлектрическое преобразование
солнечные элементы
арсенид галлия
і-гетеропереход
уравнение Шредингера
термофотоелектричне перетворення
сонячні елементи
арсенід галію
і-гетероперехід
рівняння Шреденгера
termophotoelectric conversion
solar cells
gallium arsenide
i-heterojunction
Schrodinger`s equation
КТ
Дата публикации: 2013
Издательство: Научно-технический центр "ТАТА", Саров
Библиографическое описание: Кныш, Л. И. Уточнение параметров микроструктуры солнечных элементов на основе арсенида галлия для комбинированной солнечной электростанции / Л. И. Кныш, В. А. Габринец // Альтернативная энергетика и экология. – 2013. – Вып. 3. – С. 66–71.
Краткий осмотр (реферат): RU: Проводится выбор типа высокотемпературных солнечных элементов, которые можно использовать при проектировании комбинированных термофотоэлектрических энергоустановок. Предлагается использовать арсенид-галлиевые широкозонные солнечные элементы с і– гетеропереходом. На основе анализа решения уравнения Шреденгера определяется толщина переходной і-зоны, а также концентрация носителей в ней.
UK: Проводиться вибір типу високотемпературних сонячних елементів, які можна використовувати при проектування комбінованих термофотоелектричних енергоустановок. Пропонується використовувати арсенід-галієві широкозонні сонячні елементи з і-гетеропереходом. На основі аналізу розв`язку рівняння Шредінгеру вивчається товщина перехідної і-зоні, а також концентрація носіїв в ній.
EN: Selection of solar cells type for application at design of combined thermophotovoltaic power plants is carried out. The gallium arsenide solar cells with wide-I–haterojunction are proposed to use. Based on the analysis of Schrodinger`s equation the authors determine thickness of I -transition zone, and the carrier concentration in it.
Описание: В. Габринец: ORCID 0000-0002-6115-7162
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://eadnurt.diit.edu.ua:82/jspui/handle/123456789/2180
Располагается в коллекциях:Статті КТ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Knysh_.pdf404,05 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.