Please use this identifier to cite or link to this item:
http://eadnurt.diit.edu.ua/jspui/handle/123456789/2180| Title: | Уточнение параметров микроструктуры солнечных элементов на основе арсенида галлия для комбинированой солнечной электростанции |
| Other Titles: | Уточнення параметрів мікроструктури сонячних елементів на основі арсеніду галію для комбінованої сонячної електростанції Refinement of Microstructure Parameters of Solar Cells, Based on Gallium Arcenide for Combined Solar Power Plant |
| Authors: | Габринец, Владимир Алексеевич Кныш, Людмила И. |
| Keywords: | термофотоэлектрическое преобразование солнечные элементы арсенид галлия і-гетеропереход уравнение Шредингера термофотоелектричне перетворення сонячні елементи арсенід галію і-гетероперехід рівняння Шреденгера termophotoelectric conversion solar cells gallium arsenide i-heterojunction Schrodinger`s equation КТ |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | Научно-технический центр "ТАТА", Саров |
| Citation: | Кныш, Л. И. Уточнение параметров микроструктуры солнечных элементов на основе арсенида галлия для комбинированной солнечной электростанции / Л. И. Кныш, В. А. Габринец // Альтернативная энергетика и экология. – 2013. – Вып. 3. – С. 66–71. |
| Abstract: | RU: Проводится выбор типа высокотемпературных солнечных элементов, которые можно использовать при проектировании комбинированных термофотоэлектрических энергоустановок. Предлагается использовать арсенид-галлиевые широкозонные солнечные элементы с і– гетеропереходом. На основе анализа решения уравнения Шреденгера определяется толщина переходной і-зоны, а также концентрация носителей в ней. UK: Проводиться вибір типу високотемпературних сонячних елементів, які можна використовувати при проектування комбінованих термофотоелектричних енергоустановок. Пропонується використовувати арсенід-галієві широкозонні сонячні елементи з і-гетеропереходом. На основі аналізу розв`язку рівняння Шредінгеру вивчається товщина перехідної і-зоні, а також концентрація носіїв в ній. EN: Selection of solar cells type for application at design of combined thermophotovoltaic power plants is carried out. The gallium arsenide solar cells with wide-I–haterojunction are proposed to use. Based on the analysis of Schrodinger`s equation the authors determine thickness of I -transition zone, and the carrier concentration in it. |
| Description: | В. Габринец: ORCID 0000-0002-6115-7162 |
| URI: | http://eadnurt.diit.edu.ua:82/jspui/handle/123456789/2180 |
| Appears in Collections: | Статті КТ |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Knysh_.pdf | 404,05 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.