Dielectric Properties of the Pb2MoO5 Crystals Irradiated with uv Light

Loading...
Thumbnail Image
Date
2017
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Дніпровський національний університет імені Олеся Гончара
Abstract
EN: The dielectric properties of the Pb2MoO5 crystals, exposed to UV light radiation (290 K), were studied. It was shown that UV irradiation led to appearance of permittivity maximum near 530 K (AC field frequency f=1 kHz). Heating up to 700 K resulted in thermal dissociation of the dipole complexes, induced by UV light irradiation and contributing to e peak. The magnitude of the e maximum increased with increasing time of UV light exposure and saturated for t>90 min. It is supposed that the observed anomaly of e is determined by dielectric response of (MoO3)- complexes. These centers arise when photoelectrons are trapped by molybdenum ions with oxygen vacancy VO in the nearest surroundings.
UK: Були вивчені діелектричні властивості кристалів Pb2MoO5, які зазнали впливу УФ-випромінювання (290 К). Було показано, що УФ-опромінювання привело до появи максимуму діелектричної проникненості при температурі близько 530 К (змінне поле частотою f=1 кГц). Нагрів до температури 700 К приводив до термічної дисоціації дипольних комплексів, індукованих ультрафіолетовим опромінюванням і сприяючих піку ε. Величина максимуму ε збільшувалась зі збільшенням часу впливу ультрафіолетового випромінювання і насичувалась при t>90 хв. Передбачається, що аномалія ε, яка спостерігається, визначається діелектричною характеристикою (MoO3) - комплексів. Ці центри виникають, коли фотоелектрони захоплюються іонами молібдену кисневої вакансією VO в найближчому оточенні.
RU: Были изучены диэлектрические свойства кристаллов Pb2MoO5, подвергшихся воздействию УФ-излучения (290 К). Было показано, что УФ-облучение привело к появлению максимума диэлектрической проницаемости при температуре около 530 К (переменное поле частотой f=1 кГц). Нагрев до температуры 700 К приводил к термической диссоциации дипольных комплексов, индуцированных ультрафиолетовым облучением и способствующих пику ε. Величина максимума ε увеличивалась с увеличением времени воздействия ультрафиолетового излучения и насыщалась при t> 90 мин. Предполагается, что наблюдаемая аномалия ε определяется диэлектрической характеристикой (MoO3) - комплексов. Эти центры возникают, когда фотоэлектроны захватываются ионами молибдена кислородной вакансией VO в ближайшем окружении.
Description
Keywords
double lead molybdate crystal, dielectric permittivity, light induced defect, кристал подвійного молибдата свинцю, діелектрична проникність, дефект, викликаний світлом, фотоіндукований дефект, кристалл двойного молибдата свинца, диэлектрическая проницаемость, дефект, вызванный светом, фотоиндуцированный дефект, КФ
Citation
Dielectric Properties of the Pb2MoO5 Crystals Irradiated with uv Light / I. P. Volnyanskaya, M. P. Trubitsyn, D. M. Volnyanskii, D. S. Bondar, T. V. Shvets // Вісник Дніпропетровського університету. Серія: Фізика. Радіоелектроніка. – 2017. – Вип. 24, Том 25. – С. 79–83.